晶圆抛光压力测量

晶圆或化学机械抛光（CMP）要求达到均匀的表面或后续的制造步骤会受到不利影响，这将耗费您的公司资金。



晶片压力分布：不均匀的材料很可能是由于抛光头上晶片上的压力不均匀-施加在抛光头的两个凸起上的较高压力。

晶片压力分布：不均匀的材料很可能是由于抛光头上晶片上的压力不均匀-施加在抛光头的两个凸起上的较高压力。



I扫描-压力映射系统提供了在抛光过程中由抛光头施加在晶片上的压力的瞬时洞察。如果存在不均匀的压力，I扫描将在彩色2D和3D图像中显示它们。然后可以进行机器调整，并采取新的措施来确保均匀的压力。



专利薄传感器很容易适应这种应用，并减少环境干扰，从而测量真实的压力模式。传感器具有不同的形状，可重复使用，并提供精确的压力读数。在我们高素质的销售和工程支持团队的帮助下，每个系统可以被配置成满足您的特定需求。



晶圆抛光压力测量应用

识别不均匀的抛光、磨损部件和低压力

调整前后比较

机器对机器比较

可靠性和验证测试

压力映射的好处

改进机器设置：

节省时间和金钱

减少产品浪费

识别低产机

提高生产良率