用于特定应用的聚合物。低于Tg的塑料

分子具有相对较小的迁移率。玻璃化转变

温度是低于以下温度的材料的临界温度

其中塑料的物理性能

设备和寿命。通常电阻器件面临的问题是

正电阻随时间变化

氧化氧化增加忆阻器的电阻

处于电阻状态，即HRS和LRS。因此封装

是电子设备中非常重要的一步

防止氧化和其他环境影响的系统

例如湿度、光照和温度。如果是忆阻器

器件，氧化状态通常影响电阻值

电阻随时间增加。无封装忆阻器

容易产生阻力变化和滞留

时间很短。封装层可以应用于

横杆阵列的有效区域，以不覆盖

接触垫，如图16所示。只有这样

输入/输出接触垫暴露

器件被封装。封装方法的多样性

用于保护设备免受环境影响，

一些流行的和相关的忆阻封装

下面将讨论这些技术

A.PDMS封装

印刷忆阻器极易受到环境影响

和氧化。PDMS具有生物相容性和环保性

主要用于生物医学应用的友好材料。

PDMS在其

各种特性，即绝缘体、类似橡胶的特性、容易

成型和低成本。PDMS被积极用于忆阻器

封装层[128]、[129]的制造。公共数据管理系统

具有多种优点，例如顺应性，

柔韧、透明、附着力强。PDMS材料

分为两部分，基质和固化剂。通常情况下

与10:1（基质：固化剂）混合，然后脱气

以去除材料内部的气泡。

将预聚合的PDMS应用于目标表面，并且

然后在80℃下固化一小时以使材料聚合。

一旦PDMS聚合，它就成为设备的一部分

并固定设备并保护其免受环境影响

湿度、润湿和机械应力等影响。

在用PDMS封装忆阻器阵列的情况下

在横杆结构上施加封装材料

通过避开如图16所示的接触垫。这个

焊盘未被封装以允许与

测量电子设备，如引线接合或探针

火车站在印刷忆阻器交叉阵列中，封装

是非常重要的，因为印刷器件是在

低温并且通常在环境条件下。设备

在没有封装的情况下表现出有限的耐久循环

与那些封装的[7]、[129][132]相比。

B.PDMS封装

介绍了原子层沉积（ALD）技术

20世纪70年代末，坦佩雷科技大学[7]。

ALD由于可以沉积原子而具有巨大的吸引力

封装器件顶部的尺寸薄lm

[133][135]。ALD系统的工作技术是

基于在

顺序和交替的方式。这些反应物与

以自我限制的方式控制表面的厚度

封装lm。的自我限制增长特征

ALD系统确保薄薄膜的生长

大而不平整表面上的厚度[136]、[137]。制服

并且通过ALD系统生长的薄lms是通过

AB二元顺序反应，通过洗涤分离

氮气[138]。ALD提供封装薄膜沉积

在不平整、易弯曲、坚硬、透明和不透明的基底上，

这使其成为有机电子制造的理想选择。

Al2O3-lm沉积在忆阻器横杆上

用于封装的阵列[139]。装置结构为

Ag/PVP/Ag/Al2O3。他们报道，Al2O3包封

忆阻器在超过

四周，而未封装的设备只能

持续一周。提出了另一种忆阻器件

在225℃下使用10 nm HfO2 lm的ALD封装

TDMAH和H2O作为前体，N2作为载体和吹扫

气体器件结构为在100mm上的TiN/Ti/HfO2/W

直径Si-nCC晶片[140]、[141]。基于A1N的忆阻器

介绍了设备[142]。设备已封装

使用Al2O3，他们报告了具有封装的器件

分层执行[143]。

IX、 结论

忆阻器印刷制造工艺与技术

审查。用于

对器件制造的所有层面进行了审查

忆阻器，如底部电极、顶部电极和有源

层忆阻器电极制造技术，

以及电极沉积所涉及的挑战

作为电极和顶部电极的厚度