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二元金属氧化物忆阻器
来源:薄膜压力传感器 | 发布时间:2024/1/27 12:03:35 | 浏览次数:

忆阻器是继电阻、电感和电容之后,人类发现的第四类无源基础电子元件。其材料大致可分为五类:二元金属氧化物、钙钛矿、固态电介质、硫化物半导体和有机材料。由于其非线性和非易失性的特点,忆阻器在存储器、神经网络等领域具有巨大的研究价值和广阔的应用前景。本文概述了忆阻器的基本结构原理和材料,讨论了二元金属氧化物和钙钛矿忆阻器现有的研究,并在现有研究的基础上描述了它们的应用现状。最后,对忆阻器的发展进行了全面的总结和展望。未来,忆阻器有望突破硅基集成电路摩尔速率的限制,为电路优化和计算机架构的发展做出贡献。

算力焦虑的终极解决方案?「干翻」GPU的忆阻器芯片

 
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