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它在这里，它是真实的。
苏州长显它从40纳米开始生产。开始生产忆阻器芯片
从我们那里获得IP许可，并将CrossBar ReRAM集成到您的下一个IC设计中。为您的特定应用程序获得能耗、性能、容量和功能集的理想组合。
芯片上系统的ReRAM IP核心使用我们的资源库启动您的ReRAM设计
自从我们创立CrossBar以来，我们一直在努力准备详细的技术、市场和应用信息，以帮助行业了解我们的更多信息。查看下面的信息，探索ReRAM如何改变游戏。
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尼蒂·格里蒂
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和纸张启动ReRAM设计
CrossBar电阻RAM（ReRAM）代码和数据存储器IP核是物联网（IoT）、可穿戴设备、平板电脑、智能手机、消费电子、人工智能、工业、汽车和医疗等嵌入式应用的理想选择。它们能够在40nm至2xnm的微控制器（MCU）、片上系统（SoC）和现场可编程门阵列（FPGA）的相同工艺节点上集成非易失性存储器IP核。
CrossBar ReRAM IP核通过提高系统性能和降低当今基于闪存的IP核或解决方案的复杂性，为需要低延迟、高性能和低功耗非易失性代码执行和数据存储的嵌入式应用程序提供了一种经济高效的集成内存解决方案。IP核心作为硬宏提供给客户。支持的密度可以自定义，范围从2M位（256K字节）到128M位（16M字节），或者自定义大小。
嵌入式ReRAM内存IP功能：
嵌入式1T1R内存IP核
2M位（256KB）至256M位（32MB）密度，或自定义大小
2x nm和1x nm标准CMOS工艺节点
同步主接口：时钟：66MHz；32至128位数据
电源电压：VDD=0.9V或1.1V（±10%）；VDDH=2.5V（±10%）
写入前无需擦除
状态寄存器：跟踪就绪/繁忙和成功/失败
就绪/繁忙和通过/失败的输出
写保护以防止意外写入
写入耐久性-1M以上写入周期
保留期-85°C条件下10年
可交付成果清单：
前端：LEF模型、行为模型、时序模型
后端：GDSII、DRC&LVS报告、PIPO日志
抵押品：
数据表
测试方法指南
集成指南
应用程序说明
评估委员会 |
