1/2000X1000x与传统记忆的根本背离。

由于其结构简单，ReRAM可以扩展到小于10nm，以3D方式堆叠，并在同一代工厂直接与逻辑集成。使用ReRAM，您可以获得1/20的能量；1000倍耐力；100倍读取性能；1000倍的写入性能和TB的片上存储容量。

关于存储和计算的新思维方式的可能性是无限的。CrossBar ReRAM：重新思考简单性。

电阻式随机存取存储器（ReRAM）基于顶部电极、开关介质和底部电极的简单三层结构（图1）。电阻切换机制基于当在两个电极之间施加电压时在切换材料中形成细丝。基于不同的开关材料和存储单元组织，有不同的方法来实现ReRAM。根据所使用的开关材料，这些变量会导致显著的性能差异。除了用作多次可编程（MTP）、少时间可编程（FTP）和准时可编程（OTP）非易失性存储器应用外，CrossBar还为安全应用提供ReRAM技术，其中ReRAM用于嵌入半导体中的安全物理不可克隆功能（PUF）密钥。

图1。CrossBar技术的电阻切换机制是基于当在两个电极之间施加电压时在硅基开关材料中形成细丝。

CrossBar-ReRAM技术使用硅基开关材料作为金属丝形成的主体。当在两个电极之间施加电压时，形成纳米丝。因为电阻切换机制是基于电场的，所以CrossBar ReRAM单元非常稳定，能够承受-40°C至125°C的温度波动、1M+写入周期以及在85°C下保持10年。

CrossBar ReRAM：嵌入式-可扩展-低功耗-高密度

图2。CrossBar简单且可扩展的存储单元结构实现了一种新型的3D ReRAM，它可以集成到任何标准CMOS制造厂的后端。

CrossBar高密度ReRAM技术可以以3D方式堆叠，在单个芯片上提供数TB的存储空间。其简单性、可堆叠性和CMOS兼容性使逻辑和存储器能够在最新的技术节点上集成到单个芯片上（图2）。CrossBar的专利内置选择器允许各种存储器阵列配置，其中单个晶体管可以驱动一个或数千个存储器单元。这使得CrossBar细胞能够组织成超密集的3D交叉点阵列，可堆叠，并具有在10nm以下扩展的能力，为在单个芯片上实现TB铺平了道路。

该方法也是CMOS兼容的。设计者可以将逻辑、控制器和微处理器放在同一个芯片中的存储器旁边，从而简化封装并提高性能。ReRAM的简单结构和CMOS兼容性使任何铸造厂（CMOS或逻辑）都能够通过为片上系统（SoC）或独立存储设备或嵌入式密钥许可CrossBar ReRAM技术来进入ReRAM业务。

阅读“CrossBar ReRAM技术”白皮书，了解更多信息：