忆阻器因其体积小而成为下一代存储设备

体积小、结构简单、密度高、功耗低。忆阻器是一种无源的双端子

具有内置非易失性存储器功能的主要电子设备，可在交叉开关中制造

结构在文献中，已经报道了关于忆阻器制造的独立研究，涉及

交叉电极的空间分辨率以及有源层的厚度。然而，本文提出

通过对所有增材制造技术的比较，对不同于其他技术的全面综述

以及它们对忆阻器阵列的发展的限制。对

图案分辨率、有源层制造、常用衬底和器件封装方法。

这篇综述将为研究人员，特别是印刷领域的研究人员提供坚实的基础

忆阻器器件。索引术语忆阻器，印刷技术，薄膜，交叉电极，忆阻器制造。

I.简介

忆阻器以电阻开关和

自20世纪60年代以来广泛研究[23]，[24]。横杆

电阻开关阵列由于其

结构简单，不易挥发。1972年莱昂

蔡认为忆阻器是第四基本电子

元素[38]。从那时起

需要用一些物理模型来证明。2008年HP

实验室演示了一种电阻开关，他们称之为第一次

物理忆阻器[39]。忆阻器后来流行起来

并在全球范围内进行研究，其受欢迎程度可见一斑

自2010年以来发表的论文数量

如图1所示。忆阻器是一种无源双端子

由金属/电介质/金属堆叠组成的器件

结构物理操作机制依赖于

导电丝（CF）的形成和断裂

两个金属电极之间的夹层中的缺陷。

对于原始忆阻器，电铸的初始操作

通常需要生成CF[40]。一些

副主编负责协调对这份手稿的审查

批准出版的是孙俊伟。

的忆阻器装置不需要电铸

活性层和电极材料选择导致的CF

[41]、[42]中所述。在CF形成之后，忆阻器器件

可以在高电阻之间进行可逆切换

状态（HRS）和低电阻状态（LRS）。切换

从HRS到LRS的操作称为集合过程。

相反，从LRS到HRS的切换操作

称为重置过程。可以制造忆阻器器件

通过各种制造技术

设备的大小和目标应用。忆阻器尺寸

从纳米（nm）到微米（m）不等，具体取决于

论忆阻器的研制技术

[43][45]。印刷忆阻器的尺寸相对较大

即微米，而固态忆阻器处于

纳米尺寸[19]，[46]。与固态处理相比，

印刷电子技术是

由于环境处理而使器件快速原型化，

低成本、快速制造和低材料浪费[47]。

印刷电子产品的这些吸引人的特点

吸引了研究人员探索新的材料途径

处理和开发在易失性上的电阻开关器件，

透明和可拉伸的基材