重新思考存储的创新

灯泡。汽车。电话。所有这些发明都对世界和人们的生活产生了深远的影响。那么，接下来是什么呢？自然人机界面、自动驾驶汽车、人工智能将带来另一波发明浪潮，以惊人和积极的方式改变社会的轨迹。这些系统需要即时、无处不在的数据访问。数据正在成为“新空气”，无论何时何地，始终可用。但要使数据真正无处不在，发明者必须重新思考现状。需要新技术来构建无延迟、高能效、高容量和快速性能的系统。这就是CrossBar电阻RAM（ReRAM）的用武之地。

CrossBar成立于2010年，旨在将一种完全不同的非易失性存储器ReRAM方法商业化。CrossBar-ReRAM是一种独特的存储技术，可以集成在片上系统中，也可以作为独立的存储芯片生产，它在实现这个新世界方面发挥着重要作用。

ReRAM使紧密集成的计算/存储子系统成为可能，使设计者摆脱了传统的基于总线的存储体系结构。

有了ReRAM，设计师可以创建全新的子系统，从集成数据吊舱从不关闭的“持久计算”到从每次交互中学习并在没有CPU干预的情况下自主检索、过滤和计算数据的“智能内存”。

CrossBar ReRAM IP核心已准备好在2纳米和1纳米获得许可，实现从“近内存计算”到“内存内计算”的全新子系统。CrossBar正在积极发展其硬件和软件合作伙伴生态系统，以帮助重新思考以ReRAM为中心的新架构如何引领下一波世界变革。

CrossBar的电阻式RAM技术在高性能和高密度多次可编程（MTP）存储器以及少时间可编程（FTP）和一次性可编程（OTP）非易失性存储器中有许多用途。此外，该公司目前正在利用其独特的ReRAM技术的优势，将其用于物理不可克隆功能（PUF）安全密钥，提供卓越的安全特性、更简单的实现、更高速的处理以及与嵌入式ReRAM存储器的半导体制造协同作用。

横杆关键事实

技术亮点

成立于2010年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉

基于灯丝的非易失性ReRAM技术的领导者

全球已颁发193项专利

2x nm和1x nm工艺节点的后端非易失性存储器

用于SoC、MCU、FPGA和特定领域应用的授权嵌入式存储器IP

与战略合作伙伴合作开发以ReRAM为中心的定制架构

在持久存储器、存储类存储器、人工智能、神经形态计算、eNVM中的应用