使用ReRAM重新思考数据中心存储

桥接NAND和DRAM的新存储层速度和成本

智能手机、平板电脑和物联网正在生成大量频繁上传到云端的数据。企业的数据中心系统捕获、存储、处理和共享大量数据。

云计算和“大数据”正在推动数据中心的增长和转型。数据中心需要经过优化的高性能、低延迟和高密度存储解决方案，以适应客户独特业务需求的挑战。

CrossBar的ReRAM内存技术正在应对数据中心存储的密度和容量、可扩展性、性能和延迟挑战，与NAND闪存相比，它提供了引人注目的密度和能力、超高性能和能效。CrossBar ReRAM采用创新的以内存为中心的体系结构和NVDIMM存储解决方案设计，缩小了数据存储和计算之间的差距，成为介于低成本和慢速NAND闪存以及快速和高成本每位DRAM之间的完美新存储层。

除了用作非易失性存储器外，CrossBar的ReRAM技术还非常适合用作安全计算、通信和防伪应用的物理不可克隆功能（PUF）密钥。有关CrossBar PUF密钥的更多信息，请参阅“安全计算”应用程序。

阅读“数据中心应用程序”白皮书以了解更多信息：

数据中心应用程序的ReRAM关键属性：

数据中心应用产品：

高密度存储器

高密度、高性能内存IP核

RERAM安全密钥

安全计算/通信与防伪

经验证的低于10nm工艺节点的可扩展性

读取延迟降低100倍，能效提高20倍，写入性能提高1000倍

无需擦除，位/字节级重写功能

在标准CMOS生产线上制造

1TB/芯片的容量以及更多可能的容量

MTP、FTP和OTP NVM存储器的多种用途

ReRAM PUF密钥可用于安全通信和计算