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高压直流偏压下介质电容的测量
来源:薄膜压力传感器 | 发布时间:2021/8/19 22:27:47 | 浏览次数:

高压直流偏压下介质电容的测量

非线性电介质:当使用商用LCR仪表或分析仪(如安捷伦/Keysight 4284A、E4980A、4294A)测量电容(介电常数)时,施加的电压仅为1V左右。

然而,许多压电陶瓷(PZT)和聚合物(PVDF)对外加电场具有非线性响应。通常,它们的介电常数和损耗因子在高压下会降低。

在电容器和执行器等许多应用中,电介质层在大于10 V/um或大于100 V/um的高电场下工作,其有效介电常数和tand与常规LCR计或带有1 VRM的阻抗分析仪测得的值显著不同。

如果试样在高测试电压和温度下突然发生介质击穿,则在介电测试期间直接向试样施加高电压有可能使昂贵的LCR仪表失效。

PolyK PK-HVC1801功能:在高直流偏压(±4000 V)下进行介电试验时,当试样发生介电击穿时,保护昂贵的LCR仪表/分析仪。

规格

1.最大电压:±4000 V

2.最大电流:±20 mA

3.频率范围:100 Hz至1 MHz

4.样品Cp:100 pF至100 nF

5.温度:-184至250°C

6.测试夹具与高压放大器之间的安全联锁

主要成分

1.PK-HVC1801保护和控制系统,带HVHT试验夹具[匹配DD9023和Sun EC1A温度箱]

2.测试控制软件和笔记本电脑

3.Trek 609放大器(±4 kV,20 mA)

4.安捷伦4284A或E4980A精密LCR计

5.带液氮冷却(-184 C至315 C)和高压安全联锁的温度室。

6.所有连接高压和通信电缆。

 
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